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調(diào)變波長(zhǎng)的全彩Micro LED顯示器技術(shù)-聽(tīng)教授講解

2019-03-20 17:02:06

臺(tái)灣交通大學(xué)光電工程學(xué)系郭浩中教授研究團(tuán)隊(duì)與廈門大學(xué)電子科學(xué)系吳挺竹博士和Flex-Photonics佘慶威博士、SIJ Technology Inc公司合作,在單一磊芯片上采用奈米結(jié)構(gòu)應(yīng)力調(diào)變技術(shù)與高精度的量子點(diǎn)噴涂技術(shù),合作開(kāi)發(fā)出單片式集成RGB Micro-LED元件,該研究成果展示了無(wú)須巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)就能實(shí)現(xiàn)全彩顯示的Micro-LED概念,研究成果也分別被刊登在國(guó)際知名期刊《Scientific Reports》與《Photonics Research》。DGQLED顯示屏廠家迷你光電-MNLED

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由于藍(lán)綠光的LED是由銦氮化鎵基材料為主,因?yàn)榫w結(jié)構(gòu)的關(guān)系,是一種壓電材料,本身具有很強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng),會(huì)影響主動(dòng)區(qū)的發(fā)光波長(zhǎng)與載子復(fù)合效率,這個(gè)現(xiàn)象稱為量子史侷限塔克效應(yīng)(quantum confined Stark effect; QCSE),是困擾LED發(fā)光效率的主要原因之一,因此該研究團(tuán)隊(duì)利用QCSE的特性,在綠光磊芯片上通過(guò)環(huán)型奈米結(jié)構(gòu)的制作,釋放LED主動(dòng)區(qū)的應(yīng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)調(diào)變的效果,并將發(fā)光波長(zhǎng)由綠光調(diào)變至藍(lán)光;由于奈米結(jié)構(gòu)會(huì)犧牲掉部分發(fā)光面積而降低發(fā)光強(qiáng)度,且Micro-LED隨著尺寸的減小,側(cè)壁缺陷對(duì)芯片的影響程度則會(huì)變大,進(jìn)而導(dǎo)致芯片發(fā)光效率的降低,因此郭教授研究團(tuán)隊(duì)導(dǎo)入了原子層沉積(ALD)薄膜鈍化保護(hù)技術(shù)取代傳統(tǒng)的電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方式,藉由ALD鈍化保護(hù)層具有高致密度、高階梯覆蓋能力及有效的缺陷修復(fù)等特性,避免載子在芯片表面被缺陷捕捉,大幅提高了元件的發(fā)光強(qiáng)度,進(jìn)而提升效率。DGQLED顯示屏廠家迷你光電-MNLED

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由于制備的每個(gè)RGB子像素的尺寸僅為3 μm * 10 μm,因此在小面積上實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)材料的精確噴涂也是該研究的一大亮點(diǎn)所在。該研究團(tuán)隊(duì)所采用的高精度量子點(diǎn)噴涂技術(shù),可實(shí)現(xiàn)1.65 μm線寬的均勻噴涂(如圖所示),噴涂精度可以很好地滿足要求。DGQLED顯示屏廠家迷你光電-MNLED

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此外,因?yàn)槟蚊捉Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)使得外露的主動(dòng)區(qū)面積增加,多數(shù)的量子點(diǎn)與主動(dòng)區(qū)直接接觸,如圖所示,進(jìn)階的實(shí)現(xiàn)了非輻射能量轉(zhuǎn)移(NRET)效應(yīng),提高了量子點(diǎn)材料的色轉(zhuǎn)換效率。非輻射能量轉(zhuǎn)移(NRET)是一種發(fā)生在兩個(gè)發(fā)色團(tuán)之間能量轉(zhuǎn)移的一種機(jī)制,由德國(guó)科學(xué)家Theodor F?rster提出??蓪⑵涿枋鰹榧ぐl(fā)態(tài)上的施體發(fā)色團(tuán),在距離極靠近的情況下,可以透過(guò)偶極耦合的方式將能量傳遞給受體發(fā)色團(tuán),屬于一種類似近場(chǎng)傳輸(即反應(yīng)的作用距離遠(yuǎn)小于激發(fā)波長(zhǎng)),而LED的多重量子井與量子點(diǎn)即可視為兩個(gè)發(fā)色團(tuán),并存在著施體與受體關(guān)系,只要在適當(dāng)?shù)木嚯x之內(nèi),就可以發(fā)生非輻射能量轉(zhuǎn)移機(jī)制,過(guò)去許多研究都利用這個(gè)機(jī)制來(lái)提升量子點(diǎn)的色彩轉(zhuǎn)換效率。DGQLED顯示屏廠家迷你光電-MNLED

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綜上所述,該聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了可實(shí)現(xiàn)全彩微顯示的新型Micro-LED,并利用原子層沉積ALD技術(shù)改善了Micro-LED的發(fā)光效率,同時(shí)利用非輻射能量轉(zhuǎn)移機(jī)制提升了量子點(diǎn)的色轉(zhuǎn)換效率。該研究開(kāi)發(fā)制備的量子點(diǎn)與奈米環(huán)Micro-LED技術(shù),為實(shí)現(xiàn)Micro-LED的全彩顯示提供了一種新思路與新方向。DGQLED顯示屏廠家迷你光電-MNLED
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