我們近年來(lái)經(jīng)常聽(tīng)說(shuō)MINI led今天小編向您介紹一種MINI LED的發(fā)明專利！
本發(fā)明專利技術(shù)核心特點(diǎn)：
① 晶片兩電極焊盤(pán)設(shè)在兩對(duì)角園缺側(cè)壁上，焊盤(pán)間距和面積大；
② 多層結(jié)構(gòu)，降低同層晶片之間間距。
本文概述了本發(fā)明核心技術(shù)要點(diǎn)，介紹和分析了P0.45和P0.9 RGB顯示屏，以及P0.4背光的技術(shù)方案。采用現(xiàn)有成熟的技術(shù)方法和設(shè)備，就可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
技術(shù)概述
小間距，mini/miro LED的技術(shù)障礙來(lái)自：
① LED晶片尺寸太?。姌O焊盤(pán)間距太小、面積太?。?；
② 隔壁鄰居太近（間距太?。?。千萬(wàn)上億個(gè)焊盤(pán)的焊連，良品率（成本）。
1. 本發(fā)明專利技術(shù)核心特征
（A）晶片兩電極焊盤(pán)設(shè)在兩對(duì)角園缺側(cè)壁上。
設(shè)有晶片承載片，陣列地開(kāi)有數(shù)多晶片嵌口，LED晶片嵌入晶片嵌口中。晶片嵌口兩對(duì)應(yīng)的對(duì)角側(cè)壁上設(shè)置有連線焊盤(pán)，采用焊錫膏焊連兩電極。
（B）多層晶片承載片結(jié)構(gòu)。
上圖（橫截面視圖）示出有三層，那么每層的晶片密度只有三分之一，晶片之間的距離加大，該三層分別是，R層、G層和B層，構(gòu)成全彩顯示屏。
2. 技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析說(shuō)明：
（A）兩電極焊盤(pán)設(shè)在兩對(duì)角園缺側(cè)壁上，（1）晶片上的兩電極焊盤(pán)間距最大可能加大；（2）利用側(cè)壁加大了電極焊盤(pán)的面積，有利于焊接。
LED晶片嵌在晶片嵌口中，采用焊錫焊連兩電極，（1）無(wú)金線，（2）兩電極容易牢靠焊連，（3）易修補(bǔ)缺陷晶片和焊點(diǎn)（如右圖所示），因而，100%的良品率容易實(shí)現(xiàn)。
（B）多層晶片承載片結(jié)構(gòu)，晶片承載片設(shè)有薄膜晶體管（FTF），（1）晶片之間的距離加大，避免了相鄰晶片的電極焊連線之間的干涉，有利于減小像素間距，（2）焊有LED晶片的承載片（以后稱之為L(zhǎng)ED單層片）就是一獨(dú)立的膜片（可設(shè)計(jì)成與其他的片沒(méi)有關(guān)聯(lián)），可單獨(dú)通電測(cè)試和修補(bǔ)，合格后再與其他的LED單層片貼合一體，實(shí)現(xiàn)100%的良品。
P0.45 RGB LED全彩屏設(shè)計(jì)方案
1. 0.2x0.2 LED晶片
0.2x0.2是一常規(guī)LED晶片，不同只是對(duì)角園缺，電極焊盤(pán)設(shè)在該兩園缺側(cè)壁上。激光打孔，孔壁金屬化都是常規(guī)技術(shù)。
2. 晶片承載片
晶片承載片的厚度與LED晶片的一致（0.1mm）。晶片嵌口采用激光開(kāi)孔、孔壁金屬化、柔性材料、薄膜晶體管（TFT），這都是常規(guī)技術(shù)。
3. 晶片嵌入晶片嵌口（打晶）
晶片嵌口的尺寸0.26x0.26，晶片與晶片嵌口之間四周有0.03的間隙，即打晶的精度誤差在±0.03即可，這是屬于常規(guī)精度。
4. 電極焊盤(pán)錫膏焊接
采用絲網(wǎng)印刷或噴墨式噴涂錫膏，錫膏涂敷的面積盡可能大，利用液態(tài)錫的表面張力，凝聚滲入兩焊盤(pán)之間的縫隙，因而錫膏的定位允許誤差加大，以上設(shè)計(jì)，錫膏的定位允許誤差±0.1mm，屬于常規(guī)的技術(shù)要求。
涂敷超量錫膏，采用吹氣或吸錫滾輪去除多余的焊錫，更易確保焊接，降低精度要求。
以上方案所涉及到的設(shè)備、技術(shù)、工藝制程等都是現(xiàn)有常規(guī)的。
5. RGB三層拼合
第 一層（層一）的外延層朝后，類(lèi)似于所謂的倒裝，層二、層三的朝前。圖中示出，RGB三層的晶片前后之間部分層疊。
P0.45的RGB LED 全彩屏，采用常規(guī)設(shè)備、技術(shù)、工藝制程等，就可實(shí)現(xiàn)。
拼合之前，每個(gè)單層都已經(jīng)經(jīng)過(guò)測(cè)試、缺陷修復(fù)工序，因而，100%良品率，輕易可得。
P0.4背光設(shè)計(jì)方案
LED晶片規(guī)格同樣采用0.2x0.2。
晶片嵌口的尺寸0.28x0.28，晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，即打晶的精度誤差在±0.04即可，精度要求降低了。
只需兩層LED單層盤(pán)（晶片承載片），層一的外延層朝后，層二朝前。熒光層可采用絲印或貼熒光膜片方式設(shè)置。
拼合之前，每個(gè)單層都已經(jīng)經(jīng)過(guò)測(cè)試、缺陷修復(fù)工序，因而100%良品率輕易可得。
P0.9 RGB LED全彩屏設(shè)計(jì)方案
LED晶片規(guī)格同樣采用0.2x0.2，RGB三晶片在同一層，即只采有一片晶片承載片，三個(gè)晶片有一共用連線焊盤(pán)。
晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，打晶的精度誤差在±0.04即可，常規(guī)技術(shù)。
晶片承載片沒(méi)有設(shè)置TFT，設(shè)有驅(qū)動(dòng)PCB板，晶片承載片設(shè)有外連焊盤(pán)，驅(qū)動(dòng)PCB板上有對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)相連，Φ0.2直徑的焊盤(pán)，可允許上下兩焊盤(pán)錯(cuò)位誤差0.1mm，常規(guī)技術(shù)。
在與驅(qū)動(dòng)PCB板焊合之前，焊好晶片的晶片承載片已經(jīng)完成測(cè)試、缺陷修復(fù)工序，因而，100%的良品率。
后序及聲明
P0.45的RGB LED全彩顯示屏完全可以滿足4K大屏電視機(jī)的需求，依據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)方案設(shè)計(jì)，采用現(xiàn)常規(guī)技術(shù)和設(shè)備，就可實(shí)現(xiàn)100%良品率，有效低成本成本造價(jià)，解決由于價(jià)格影響市場(chǎng)的難題。數(shù)千億級(jí)的大市場(chǎng)將被引爆。
以上展示的屬于mini LED，本發(fā)明專利同樣可大大地降低大間距led顯示屏造價(jià)，同樣將顛覆大間距led顯示屏工藝制程。
本發(fā)明專利將促進(jìn)LED顯示和背光、面板行業(yè)發(fā)展步入一新時(shí)代，受益最大的是，當(dāng)今產(chǎn)能?chē)?yán)重過(guò)剩的LED外延晶片工廠。
在此，特別聲明，以上展示的LED晶片結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明專利（發(fā)明專利號(hào)：ZL20101055508.6，十年前）的保護(hù)范圍內(nèi)，必須得到許可，方可使用。
信息來(lái)源 3qled 顯示之家
