隨著led電子屏芯片技術(shù)的發(fā)展，今后還將出現(xiàn)更多提高led電子屏芯片發(fā)光效率的新技術(shù)。尤其是，將出現(xiàn)更好的芯片，提高LED芯片的抗靜電功能，降低LED芯片的熱量，提高發(fā)光效率。下面跟著迷你小編，看看能做什么。
1，透明襯底技術(shù)InGaAlP
指示燈通常在GaAs基板上的外延生長InGaAlP 發(fā)光區(qū) GaP窗口區(qū)域制造。與InGaAlP相比，GaAs材料的帶隙寬度小得多，因此短波長光在發(fā)光區(qū)和窗口表面注射GaAs基板時均被吸收，成為設備發(fā)射效率不高的主要原因。在基板和限制層之間生長Bragg反射區(qū)域，使垂直于基板的射光反射回發(fā)光區(qū)或窗口，并且部分改進了設備的發(fā)光特性。更有效的方法是先移除GaAs基板，并用完全透明的GaP晶體取代。在led電子屏芯片內(nèi)去除基板吸收區(qū)，將量子效率從4%提高到25-30%。為了進一步減少電極區(qū)的吸收，將這種透明襯底型InGaAlP裝置做成單面錐形，進一步提高了兩者的效率。
2、金屬膜反射技術(shù)
透明襯底進程最初由美國的HP、Lumileds等啟動，金屬膜反射法主要由日本、臺灣廠商進行大量研究和開發(fā)。這種工藝不僅規(guī)避了透明襯底專利，而且對規(guī)模生產(chǎn)更有利。效果可以說是透明襯底法和李谷同行的妙處。此過程通常稱為MB過程，是移除GaAs基板，將其表面與Si基板表面一起涂上al-metal膜，然后在一定溫度和壓力下進行焊接的過程。這樣，從發(fā)光層照射到基板的光被Al金屬膜反射到芯片表面，從而使設備的發(fā)光效率提高2.5倍以上。
3、表面微結(jié)構(gòu)技術(shù)
表面微結(jié)構(gòu)過程是提高在led電子屏芯片表面刻蝕上具有大量光波長的小結(jié)構(gòu)的芯片表面上每個結(jié)構(gòu)被截斷的四面體形狀的設備的發(fā)光效率的另一有效技術(shù)，這將擴大輸出區(qū)域，改變光在芯片表面的折射方向，從而顯著提高光的透射效率。據(jù)測量，窗層厚度為20m的裝置的發(fā)光效率可以提高到30%。窗層厚度減少到10m，發(fā)光效率提高了60%。對于波長在585-625nm的LED元件，在創(chuàng)建紋理結(jié)構(gòu)后，可以達到接近設備水平的30lm/w。4，倒裝芯片技術(shù)
MOCVD技術(shù)使基于GaN的LED結(jié)構(gòu)層在石基板上生長，P/N接頭發(fā)光區(qū)發(fā)出的光通過上述p 出。由于p型GaN的傳導性能不好，為了實現(xiàn)良好的電流擴展，必須通過蒸汽鍍技術(shù)在p區(qū)表面形成由Ni-Au層組成的金屬電極層。p區(qū)引線通過該層的金屬薄膜誘導。為了良好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層不能太薄。為此，設備的發(fā)光效率受到很大影響。一般來說，電流擴展和發(fā)光效率兩個因素都要考慮。但是在任何情況下，如果金屬膜存在，總是會惡化透光的性質(zhì)。此外，由于引線 焊點的存在，led電子屏的發(fā)光效率也會受到影響。使用GaN LED倒裝芯片結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上述問題。
5、芯片連接技術(shù)
led電子屏對所需材料有性能要求，通常帶寬大，材料的折射率需要大幅度變化。不幸的是，一般沒有天然的這種物質(zhì)。同質(zhì)外延生長技術(shù)一般不能形成所需的帶寬差異和折射指數(shù)差，在硅中外延GaAs和InP等一般異質(zhì)外延技術(shù)不僅成本高，而且耦合接口的電勢密度也很高，很難形成高質(zhì)量的光電集成裝置。低溫耦合技術(shù)可以大大減少不同材料之間的熱不匹配問題，減少應力和電位，從而產(chǎn)生高質(zhì)量的裝置。隨著對粘接機制的理解和粘接工藝技術(shù)的成熟，多種不同材料的芯片之間可以相互結(jié)合，形成一些特殊用途的材料和裝置。在硅片上形成硅化物層，然后結(jié)合，形成新的結(jié)構(gòu)。由于硅化物的電導率高，可以替代雙極裝置的隱藏層，從而減少RC常數(shù)。
6、激光剝離技術(shù)(LLO)
激光剝離技術(shù)(LLO)利用激光能量分解GaN/藍寶石接口的GaN緩沖層，將LED外延薄膜與藍寶石基板分離。技術(shù)的優(yōu)點是，外延芯片可以轉(zhuǎn)移到熱導率高的熱針上，提高大型芯片的電流擴展。n面的發(fā)光區(qū)域增加，電極屏蔽小，便于制造微結(jié)構(gòu)，減少刻蝕、磨削、薄片。更重要的是，藍寶石基板可以重復使用。
